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來源: 發(fā)布時間:2025-01-15

表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示,否則說明單向可控硅已損壞。三、檢測雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件。雙向可控硅的3個引腳分別是控制極G,主電極T1和主電極T2,如下圖所示。由于雙向可控硅的兩個主電極是對稱的,因此使用中可以任意互換。檢測時,萬用表置于Rx1Ω檔,先用兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,均應(yīng)為較小阻值。如下圖所示。再用萬用表兩表筆測量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正、反向電阻,均應(yīng)為無窮大,如下圖所示。四、檢測雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬用表置于Rx1Ω檔,黑表筆接雙向可控硅主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應(yīng)為無窮大,這是將控制極G與主電極T2短接一下,表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置,如下圖所示。否則說明該雙向可控硅已壞。按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。廣西進口可控硅模塊商家

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現(xiàn)代照明設(shè)計要求規(guī)定,照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到,而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,所以都設(shè)計用電容補償功率因數(shù))在國外發(fā)達國家,已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制,在國內(nèi),北京、上海、廣州等大城市,已對諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進行照度控制時,可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染。近年來,許多新型可控硅元件相繼問世,如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,用負觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用:可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實質(zhì)上就是一個交流調(diào)壓器,老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的,如下圖所示。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形,經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,由于其幅度小于u1,使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,雖然改變了正弦交流電的幅值,但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器、電阻器相比,可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機理,它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對于普通反向阻斷型可控硅。廣西進口可控硅模塊商家這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。

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⑴視覺屏障作用玄關(guān)對的視線產(chǎn)生了一定的視覺屏障,不至于開門見廳,讓人們一進門就對客廳的情形一覽無余。它注重人們戶內(nèi)行為的私密性及隱蔽性,保證了廳內(nèi)的安全性和距離感,在客人來訪和家人出入時,能夠很好的解決干擾和心理安全問題,使人們出門入戶過程更加有序。⑵較強的使用功能玄關(guān)在使用功能上,可以用來作為簡單地接待客人、接受郵件、換衣、換鞋、擱包的地方,也可設(shè)置放包及鑰匙等小物品的平臺。⑶保溫作用玄4觸摸出門開關(guān)有什么特點只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;5多聯(lián)墻壁開關(guān)有哪些特點多聯(lián)墻壁開關(guān)采用lonworks工控電力載波技術(shù),利用家中的零火線電網(wǎng)來傳輸信號,安裝布線和傳統(tǒng)開關(guān)一致,不需要任何信號線通信線,對電工簡單說明后,即可完成安裝,無需專業(yè)技術(shù)工程人員專門安裝。因此無需高額的安裝維護費用。6房屋裝修電源控制開關(guān)有何規(guī)定高度離地130cm,離門口15到20cm###亮就行7大門玄關(guān)有何講究1、天花板宜高不宜低,太低會有壓迫感,象征居住者難以出人頭地,受人壓制。2、墻壁間隔之間應(yīng)下實上虛,面對大門的玄關(guān)下半部應(yīng)以磚墻或木板來進行裝修,上半部裝修可以明亮的裝飾材料,如磨砂玻璃。

E接成正向,而觸動發(fā)信號是負的,可控硅也不能導(dǎo)通。另外,如果不加觸發(fā)信號,而正向陽極電壓大到超過一定值時,可控硅也會導(dǎo)通,但已屬于非正常工作情況了。可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),所以它具有開關(guān)特性,這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1、陽極電位高于陰極電位2、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位2、陽極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例:可控硅在實際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,概括起來有直流觸發(fā)電路,交流觸發(fā)電路,相位觸發(fā)電路等等。1、直流觸發(fā)電路:如圖2是一個電視機常用的過壓保護電路,當(dāng)E+電壓過高時A點電壓也變高,當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時DZ道通,可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,使保險絲RJ熔斷,從而起到過壓保護的作用。2、相位觸發(fā)電路:相位觸發(fā)電路實際上是交流觸發(fā)電路的一種,如圖3??煽毓枋荘1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個PN結(jié)。

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可控硅可控硅簡稱SCR,是一種大功率電器元件,也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動器件,實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用??煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個單向可控硅反向連接,這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單,沒有反向耐壓問題,因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域??煽毓韬椭挥幸粋€PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。安徽國產(chǎn)可控硅模塊現(xiàn)價

其通斷狀態(tài)由控制極G決定。廣西進口可控硅模塊商家

TC=℃)------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn):QB-02-091.晶閘管關(guān)斷過電壓(換流過電壓、空穴積蓄效應(yīng)過電壓)及保護晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,在關(guān)斷過程中,管子在反向作用下,正向電流下降到零時,元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使殘存的載流子迅速消失,這時反向電流減小即diG/dt極大,產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,這個電勢與電源串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓(換相過電壓)。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍。保護措施:在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2.交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,會產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,由于初次級之間存在分布電容,初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,出現(xiàn)瞬時過電壓。廣西進口可控硅模塊商家