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可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了,在您了解的知識(shí)中,您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎?下面正高電氣來講解一下。
可控硅模塊的工作條件:
1.當(dāng)可控硅模塊承受反向陽極電壓時(shí),不管門級(jí)承受哪種電壓,可控硅模塊都會(huì)處于斷開狀態(tài)。
2.當(dāng)可控硅模塊經(jīng)歷正向陽極電壓時(shí),可控硅*在門級(jí)受到正向電壓時(shí)接通。
3.當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),只需要有一定的正極電壓,不管門極電壓怎樣,可控硅模塊都保持導(dǎo)通,如果可控硅導(dǎo)通后,門極將失去其功能。
4..當(dāng)可控硅模塊導(dǎo)通時(shí),主電路電壓(或電流)減小到接近零時(shí),可控硅模塊關(guān)斷。 淄博正高電氣有限公司愿和各界朋友真誠合作一同開拓。廣西快恢復(fù)可控硅模塊哪家好
可控硅模塊的出現(xiàn)已經(jīng)歷史悠久,它的出現(xiàn)也幫助人們解決了很多難題,憑借它的優(yōu)勢(shì),使可控硅模塊在電氣行業(yè)中非常的受歡迎,下面正高來詳細(xì)的說下可控硅模塊。
可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。剛開始是在1970年出現(xiàn)在電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。
可控硅模塊的優(yōu)點(diǎn)體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡(jiǎn)單、互換性好、便于維修和安裝;結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化,價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。 廣西快恢復(fù)可控硅模塊哪家好淄博正高電氣有限公司生產(chǎn)的產(chǎn)品受到用戶的一致稱贊。
可控硅模塊特點(diǎn):
1 對(duì)耐壓級(jí)別的選擇:通常把VDRM(斷態(tài)重復(fù)峰值電壓)和VRRM(反向重復(fù)峰值電壓)中較小的值標(biāo)作該器件的額定電壓。
2 對(duì)電流的確定:由于雙向可控硅模塊通常用在交流電路中,因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小,因而一般家電中選用可控硅模塊的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí),可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM 時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。
3 對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇:它是可控硅模塊通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗,應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。
4 對(duì)維持電流:IH是維持可控硅模塊保持通態(tài)所必 需的極小主電流,它與結(jié)溫有關(guān),結(jié)溫越高,則IH越小。
5 對(duì)電壓上升率的:dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率,這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅模塊的制造工藝決定了A2與G之間會(huì)存在寄生電容。
可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊(MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊(也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊(MDS)、單相(三相)整流橋模塊(MDQ)、單相半控橋(三相全控橋)模塊(MTS)以及肖特基模塊等。淄博正高電氣有限公司在行業(yè)的影響力逐年提升。
斷一個(gè)可控硅元件是否完好,工程師需要從四個(gè)方面進(jìn)行檢查,首先是判斷該元件的三個(gè)PN結(jié)應(yīng)完好,其次是當(dāng)陰極與陽極間電壓反向連接時(shí)能夠阻斷不導(dǎo)通,第三是當(dāng)控制極開路時(shí),陽極與陰極間的電壓正向連接時(shí)也不導(dǎo)通,第四是給控制極加上正向電流,給陰極與陽極加正向電壓時(shí),可控硅應(yīng)當(dāng)導(dǎo)通,把控制極電流去掉后仍處于導(dǎo)通狀態(tài)。滿足以上四個(gè)條件的可控硅元件,才是符合設(shè)計(jì)使用要求的。
想要看一個(gè)可控硅元件是否符合以上要求,其實(shí)非常簡(jiǎn)單,只需要用萬用表的歐姆擋測(cè)量可控硅的極間電阻,就可對(duì)**個(gè)方面的好壞進(jìn)行判斷。具體的操作方法是:用R×1k或R×10k擋測(cè)陰極與陽極之間的正反向電阻(控制極不接電壓),此兩個(gè)阻值均應(yīng)很大。電阻值越大,表明正反向漏電電流愈小。如果測(cè)得的阻值很低,或近于無窮大,說明可控硅已經(jīng)擊穿短路或已經(jīng)開路,此可控硅不能使用了。 淄博正高電氣有限公司尊崇團(tuán)結(jié)、信譽(yù)、勤奮。福建高壓可控硅模塊組件
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接下來需要檢測(cè)的是控制極與陰極之間的PN結(jié)是否損壞。我們可以用萬用表的R×1k或R×10k擋測(cè)陽極與控制極之間的電阻,正反向測(cè)量阻值均應(yīng)幾百千歐以上,若電阻值很小表明可控硅擊穿短路。用R×1k或R×100擋,測(cè)控制極和陰極之間的PN結(jié)的正反向電阻在幾千歐左右,如出現(xiàn)正向阻值接近于零值或?yàn)闊o窮大,表明控制極與陰極之間的PN結(jié)已經(jīng)損壞。反向阻值應(yīng)很大,但不能為無窮大。正常情況是反向阻值明顯大于正向阻值。
如果想要判斷可控硅是否已經(jīng)被擊穿損壞,工程師可以使用萬用表選電阻R×1擋,然后將黑表筆接陽極,紅表筆仍接陰極,此時(shí)萬用表指針應(yīng)不動(dòng)。紅表筆接陰極不動(dòng),黑表筆在不脫開陽極的同時(shí)用表筆尖去瞬間短接控制極,此時(shí)萬用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10歐姆左右。如陽極接黑表筆,陰極接紅表筆時(shí),萬用表指針發(fā)生偏轉(zhuǎn),說明該單向可控硅已擊穿損壞。 廣西快恢復(fù)可控硅模塊哪家好
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