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5ms）l瞬時(shí)耐壓10kVl工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%6）短路保護(hù)放電回路緊急情況下快速放電，保證緊急情況時(shí)快速使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓DC10kVl放電電流10kA（5ms）l工作溫度室溫～40℃；l工作濕度<70%7）正常放電回路用于設(shè)備正常關(guān)機(jī)時(shí)放電，使設(shè)備處于安全電位。l回路耐壓10kVl放電電流50Al工作溫度室溫～40℃；l工作濕度<70%8）高壓大功率開關(guān)l電流能力200Al隔離耐壓10kVl響應(yīng)時(shí)間150msl脈沖電流20kA（不小于10ms）l工作方式氣動(dòng)控制l工作氣壓l工作溫度室溫～40℃l工作濕度<70%9）尖峰抑制電容用于防止關(guān)斷瞬態(tài)過程中的I...

1范圍本技術(shù)規(guī)范提出的是比較低限度的要求，并未對所有技術(shù)細(xì)節(jié)作出規(guī)定，也未充分引述有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范的條文，供貨方應(yīng)提供符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和本技術(shù)規(guī)范的質(zhì)量產(chǎn)品。本技術(shù)規(guī)范所使用的標(biāo)準(zhǔn)如遇與供貨方所執(zhí)行的標(biāo)準(zhǔn)不一致時(shí)，應(yīng)按較高標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行。2應(yīng)遵循的主要現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)該功率半導(dǎo)體模塊測試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制造、檢查、試驗(yàn)等遵循如下國內(nèi)國際標(biāo)準(zhǔn)，但不限于以下標(biāo)準(zhǔn)。GB13869-2008用電安全導(dǎo)則GB19517-2004國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范GB/T運(yùn)動(dòng)設(shè)備及系統(tǒng)GB4208-2008外殼防護(hù)等級（IP代碼）（IEC60529：2001，IDT）GB/T191-2008包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T15139-19...

igbt簡介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管...

IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時(shí)間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路和高能芯片一起的模塊，已經(jīng)從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（I...

所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊，包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述...

圖1單管，模塊的內(nèi)部等效電路多個(gè)管芯并聯(lián)時(shí)，柵極已經(jīng)加入柵極電阻，實(shí)際的等效電路如圖2所示。不同制造商的模塊，柵極電阻的阻值也不相同；不過，同一個(gè)模塊內(nèi)部的柵極電阻，其阻值是相同的。圖2單管模塊內(nèi)部的實(shí)際等效電路圖IGBT單管模塊通常稱為1in1模塊，前面的“1”表示內(nèi)部包含一個(gè)IGBT管芯，后面的“1”表示同一個(gè)模塊塑殼之中。2.半橋模塊，2in1模塊半橋（Halfbridge）模塊也稱為2in1模塊，可直接構(gòu)成半橋電路，也可以用2個(gè)半橋模塊構(gòu)成全橋，3個(gè)半橋模塊也構(gòu)成三相橋。因此，半橋模塊有時(shí)候也稱為橋臂（Phase-Leg）模塊。圖3是半橋模塊的內(nèi)部等效。不同的制造商的接線端子名...

不要做讓模塊電極的端子承受過大應(yīng)力。2）IGBT模塊的散熱器應(yīng)根據(jù)使用條件和環(huán)境及IGBT模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇，以保證GBT模塊工作時(shí)對散熱器的要求。為了減少接觸熱阻，推薦在散熱器與IGBT模塊之間涂上一層很薄的導(dǎo)熱硅脂。3）IGBT模塊安裝到散熱片上時(shí)，要先在模塊的反面涂上散熱絕緣混合劑（導(dǎo)熱膏），再用推薦的夾緊力距充分旋緊。另外，散熱片上安裝螺絲的位置之間的平坦度應(yīng)控制在100μm以下，表面粗糙度應(yīng)控制在10μm以下。散熱器表面如有凹陷，會(huì)導(dǎo)致接觸熱阻（Rth（c—f）的增加。另外，散熱器表面的平面度在上述范圍以外時(shí)，IGBT模塊安裝時(shí)（夾緊時(shí)）會(huì)給IGBT模塊內(nèi)部的芯片與位于金屬...

包括安裝板、以及布置在所述安裝板上側(cè)的igbt單管，所述安裝板上還連接有具有彈性的壓緊件，所述壓緊件將所述igbt單管抵壓在所述安裝板上。這樣，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述壓緊件即可實(shí)現(xiàn)所述igbt單管的固定。相比于目前通過螺釘固定所述igbt單管的方法，**節(jié)約了igbt單管在安裝板上的安裝時(shí)間，并且減少了總裝的零件數(shù)量，提高了igbt模塊的生產(chǎn)效率，還降低了因螺釘松動(dòng)而引起的igbt模塊損壞風(fēng)險(xiǎn)。附圖說明為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描...

體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外接線簡單、互換性好、便于維修和安裝；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn)，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，并因此得到長足發(fā)展。 普通晶閘管的三個(gè)電極可以用萬用表歐姆擋R×100擋位來測。大家知道，晶閘管G、K之間是一個(gè)PN結(jié)〔圖2(a)〕，相當(dāng)于一個(gè)二極管，G為正極、K為負(fù)極，所以，按照測試二極管的方法，找出三個(gè)極中的兩個(gè)極，測它的正、反向電阻，電阻小時(shí)，萬用表黑表筆接的是控制極G，紅表筆接的是陰極K，剩下的一個(gè)就是陽極A了。測試晶閘管的好壞，可以用剛才演示用的示教板電路(圖3)。接通電源開關(guān)S，按一下按...

***個(gè)和第二個(gè)依次緊固額定力矩的1/3，然后反復(fù)多次使其達(dá)到額定力矩，四點(diǎn)安裝和兩點(diǎn)安裝類似。緊固螺絲時(shí)，依次對角緊固1/3額定力矩，然后反復(fù)多次使其達(dá)到額定力矩。5）散熱器表面要平整清潔，要求平面度≤150μm，表面光潔度≤6μm，在界面要涂傳熱導(dǎo)電膏，涂層要均勻，厚度約150μm。6）使用帶紋路的散熱器時(shí)，IGBT模塊長的方向順著散熱器的紋路，以減少散熱器的變形。兩只模塊在一個(gè)散熱器上安裝時(shí)，短的方向并排擺放，中間留出足夠的距離，主要是使風(fēng)機(jī)散熱時(shí)減少熱量疊加，容易散熱，**大限度發(fā)揮散熱器的效率。GA系列IGBT單開關(guān)型模塊的內(nèi)部接線圖IGBT驅(qū)動(dòng)電路下圖為M57962L驅(qū)動(dòng)器...

也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應(yīng)用對IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模...

導(dǎo)通延遲時(shí)間），td（off）（截止延遲時(shí)間），tr（上升時(shí)間）和開關(guān)損耗，在高頻應(yīng)用（超過5kHz）時(shí)，這種損耗應(yīng)盡量避免。另外。驅(qū)動(dòng)器本身的損耗也必須考慮。如果驅(qū)動(dòng)器本身損耗過大，會(huì)引起驅(qū)動(dòng)器過熱，致使其損壞。**后，當(dāng)M57962L被用在驅(qū)動(dòng)大容量的IGBT時(shí)，它的慢關(guān)斷將會(huì)增大損耗。引起這種現(xiàn)象的原因是通過IGBT的Gres（反向傳輸電容）流到M57962L柵極的電流不能被驅(qū)動(dòng)器吸收。它的阻抗不是足夠低，這種慢關(guān)斷時(shí)間將變得更慢和要求更大的緩沖電容器應(yīng)用M57962L設(shè)計(jì)的驅(qū)動(dòng)電路如下圖。電路說明：電源去耦電容C2～C7采用鋁電解電容器，容量為100uF／50V，R1阻值取1k...

所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊，包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述...

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。 可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)**模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相...

與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。igbt的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。igbt驅(qū)動(dòng)電路圖：igbt驅(qū)動(dòng)電路圖一igbt驅(qū)...

IGBT單管和IGBT功率模塊PIM、IPM的區(qū)別是什么？作者：海飛樂技術(shù)時(shí)間：2018-04-1218:47IGBT功率模塊采用封裝技術(shù)集成驅(qū)動(dòng)、保護(hù)電路和高能芯片一起的模塊，已經(jīng)從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到了智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM等。IGBT單管和IGBT功率模塊的定義不同：IGBT單管：分立IGBT，封裝較模塊小，電流通常在50A以下，常見有TO247、TO3P等封裝。IGBT模塊：塊化封裝就是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起，即模塊化封裝的IGBT芯片。常見的有1in1,2in1,6in1等。PIM模塊：集成整流橋+制動(dòng)單元（PFC）+三相逆變（I...

加速度傳感器加速度傳感器+關(guān)注加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。光模塊光模塊+關(guān)注光模塊(opticalmodule)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。四軸飛行器四軸飛行器+關(guān)注四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)...

清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。ProtuesProtues+關(guān)注Proteus軟件是英國LabCenterElectronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風(fēng)標(biāo)電子技術(shù)有限公司）。它不*具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機(jī)及**器件。STC12C5A60S2STC12C5A60S2+關(guān)注在眾多的51系列單片機(jī)中，要算國內(nèi)STC公司的1T增強(qiáng)系列更具有競爭力，因他不但和8051指令、管腳完全兼容，而且其片內(nèi)的具有大容量程序存儲(chǔ)器且是FLASH工藝的，如STC12C5A60S2單片機(jī)內(nèi)部就自帶高達(dá)60KFLASHROM，這種工藝的存儲(chǔ)器用戶可以用電的方式瞬...

加速度傳感器加速度傳感器+關(guān)注加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。光模塊光模塊+關(guān)注光模塊(opticalmodule)由光電子器件、功能電路和光接口等組成，光電子器件包括發(fā)射和接收兩部分。簡單的說，光模塊的作用就是光電轉(zhuǎn)換，發(fā)送端把電信號轉(zhuǎn)換成光信號，通過光纖傳送后，接收端再把光信號轉(zhuǎn)換成電信號。四軸飛行器四軸飛行器+關(guān)注四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機(jī)轉(zhuǎn)...

但在中**MOSFET及IGBT主流器件市場上，90％主要依賴進(jìn)口，基本被國外歐美、日本企業(yè)壟斷。國外企業(yè)如英飛凌、ABB、三菱等廠商研發(fā)的IGBT器件產(chǎn)品規(guī)格涵蓋電壓600V-6500V，電流2A-3600A，已形成完善的IGBT產(chǎn)品系列。英飛凌、三菱、ABB在1700V以上電壓等級的工業(yè)IGBT領(lǐng)域占***優(yōu)勢；在3300V以上電壓等級的高壓IGBT技術(shù)領(lǐng)域幾乎處于壟斷地位。在大功率溝槽技術(shù)方面，英飛凌與三菱公司處于國際**水平。西門康、仙童等在1700V及以下電壓等級的消費(fèi)IGBT領(lǐng)域處于優(yōu)勢地位。盡管我國擁有**大的功率半導(dǎo)體市場，但是目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品的研發(fā)與國際大公司相...

收藏查看我的收藏0有用+1已投票0可控硅模塊編輯鎖定討論可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。**早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合...

測試溫度范圍Tj=25°及125°。IGBT模塊動(dòng)態(tài)測試參數(shù)及指標(biāo)測試單元對IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。1）動(dòng)態(tài)測試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。1）圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義動(dòng)態(tài)測試參數(shù)IGBT的開通和關(guān)斷波形及其相關(guān)參數(shù)的定義如圖2、圖3所示。圖2IGBT開通過程及其參數(shù)定義圖3IGBT關(guān)斷過程及其參數(shù)定義表格2可測量的IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)參數(shù)名稱符號參數(shù)名稱符號開通延...

其中CGE是柵極-發(fā)射極電容、CCE是集電極-發(fā)射極電容、CGC是柵極-集電極電容或稱米勒電容（MillerCapacitor）。門極輸入電容Cies由CGE和CGC來表示，它是計(jì)算IGBT驅(qū)動(dòng)器電路所需輸出功率的關(guān)鍵參數(shù)。該電容幾乎不受溫度影響，但與IGBT集電極-發(fā)射極電壓VCE的電壓有密切聯(lián)系。在IGBT數(shù)據(jù)手冊中給出的電容Cies的值，在實(shí)際電路應(yīng)用中不是一個(gè)特別有用的參數(shù)，因?yàn)樗峭ㄟ^電橋測得的，在測量電路中，加在集電極上C的電壓一般只有25V(有些廠家為10V)，在這種測量條件下，所測得的結(jié)電容要比VCE=600V時(shí)要大一些(如圖2)。由于門極的測量電壓太低(VGE=0V)...

可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)需要滿足的必定要求來源：日期：2019年06月26日點(diǎn)擊數(shù)：載入中...可控硅模塊的作用主要體驗(yàn)在電路中，在電路中經(jīng)常會(huì)見到可控硅模塊的身影，由此可見它的應(yīng)用是多么的強(qiáng)大，可控硅模塊的其中一個(gè)作用就是觸發(fā)電路，但是觸發(fā)電路時(shí)需要滿足三個(gè)必定條件，下面正高電氣帶您來看看這三個(gè)條件是什么？一、可控硅模塊觸發(fā)電路的觸發(fā)脈沖信號應(yīng)有足夠的功率和寬度為了使全部的元件在各種可能的工作條件下均能可靠的觸發(fā)，可控硅模塊觸發(fā)電路所送出的觸發(fā)電壓和電流，必須大于元件門極規(guī)定的觸發(fā)電壓UGT與觸發(fā)電流IGT的較大值，并且留有足夠的余量。另外，由于可控硅的觸發(fā)是有一個(gè)過程的，也就是可控硅觸...

所描述的實(shí)施例**是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種igbt模塊，能夠提高igbt模塊的生產(chǎn)效率。如圖1所示，本實(shí)用新型提供的一種igbt模塊，包括安裝板1、以及布置在所述安裝板1上側(cè)的igbt單管2，所述安裝板1上還連接有具有彈性的壓緊件3，所述壓緊件3將所述igbt單管2抵壓在所述安裝板1上。本實(shí)施例，在將所述igbt單管安裝在所述安裝板上時(shí)，只需向上抬起所述具有彈性的壓緊件，然后將所述igbt單管放置到安裝位上后，再松開所述...

大中小igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇2011-07-23王利剛QWE展開全文igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇上網(wǎng)時(shí)間:2011-05-04igbt驅(qū)動(dòng)電路，igbt驅(qū)動(dòng)電路圖，igbt驅(qū)動(dòng)電路的選擇igbt驅(qū)動(dòng)電路igbt(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很...

不*上橋臂的開關(guān)管要采用各自**的隔離電源，下橋臂的開關(guān)管也要采用各自**的隔離電源，以避免回路噪聲，各路隔離電源要達(dá)到一定的絕緣等級要求。3）在連接IGBT電極端子時(shí)，主端子電極間不能有張力和壓力作用，連接線（條）必須滿足應(yīng)用，以免電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過熱?？刂菩盘柧€和驅(qū)動(dòng)電源線要離遠(yuǎn)些，盡量垂直，不要平行放置。4）光耦合器輸出與IGBT輸入之間在PCB上的走線應(yīng)盡量短，**好不要超過3cm。5）驅(qū)動(dòng)信號隔離要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模塊驅(qū)動(dòng)端子上的黑色套管是防靜電導(dǎo)電管，用接插件引...

這個(gè)反電動(dòng)勢可以對電容進(jìn)行充電。這樣，正極的電壓也不會(huì)上升。如下圖：坦白說，上面的這個(gè)解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下。歡迎朋友在評論中留言。我會(huì)在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中，通過實(shí)際的電流照片，驗(yàn)證這個(gè)二極管的作用?，F(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的。IGBT,通常就是一個(gè)元件，它不帶續(xù)流二極管。即是這個(gè)符號：商用IGBT模塊，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個(gè)整體部件中，即下面的這個(gè)符號。在工廠中，我們稱這個(gè)整體部件叫IGBT，不會(huì)說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個(gè)橋式...

且所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接板311的一端朝背離所述擋板11的一側(cè)斜向下延伸。本實(shí)施例，由于所述壓緊部在工作時(shí)，遠(yuǎn)離所述連接板的一端會(huì)抵設(shè)在所述igbt單管的上側(cè)，即相比于自然狀態(tài)下，所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)會(huì)略微向上抬起。本實(shí)施例，使所述壓緊部在自然狀態(tài)下，遠(yuǎn)離所述連接板的一端朝背離所述擋板的一側(cè)斜向下延伸，這樣，可以使所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接板的一端在工作時(shí)仍然能夠可靠地抵設(shè)在所述igbt單管上。如圖2和圖3所示，可選的，所述壓緊部32遠(yuǎn)離所述連接部31的一端設(shè)置有工裝槽321。本實(shí)施例，可以通過所述工裝槽輔助抬起所述壓緊部遠(yuǎn)離所述連接部的一端；具體的，可以將與所述工裝...

賽米控IGBT驅(qū)動(dòng)系列賽米控提供兩種不同的IGBT驅(qū)動(dòng)系列，可涵蓋任何應(yīng)用。可使用適配板針對各類模塊優(yōu)化SKHI和SKYPER系列的驅(qū)動(dòng)**。SKYPERPrime等驅(qū)動(dòng)提供技術(shù)完善的即插即用解決方案，可在實(shí)際應(yīng)用中節(jié)省時(shí)間和成本。SKYPER系列的單通道輸出功率為1W至4W，涵蓋30kW至2MW全功率范圍的逆變器。賽米控的新型ASIC芯片組具有高集成度，可在整個(gè)生命周期內(nèi)提供安全的IGBT門極控制。通過隔離故障通道，可快速解決短路問題。軟關(guān)斷和過電壓反饋可避免危險(xiǎn)的過電壓問題?；旌闲盘朅SIC保證在整個(gè)溫度范圍內(nèi)都有比較低的誤差。MLI或并聯(lián)IGBT拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)通過可調(diào)故障處理技術(shù)進(jìn)行管...