從結(jié)構(gòu)上講，IGBT主要有三個(gè)發(fā)展方向：1）IGBT縱向結(jié)構(gòu)：非透明集電區(qū)NPT型、帶緩沖層的PT型、透明集電區(qū)NPT型和FS電場(chǎng)截止型；2）IGBT柵極結(jié)構(gòu)：平面柵機(jī)構(gòu)、Trench溝槽型結(jié)構(gòu)；3）硅片加工工藝：外延生長(zhǎng)技術(shù)、區(qū)熔硅單晶；其發(fā)展趨勢(shì)是：①降低損耗②降低生產(chǎn)成本總功耗＝通態(tài)損耗(與飽和電壓VCEsat有關(guān))+開(kāi)關(guān)損耗(EoffEon)。同一代技術(shù)中通態(tài)損耗與開(kāi)關(guān)損耗兩者相互矛盾,互為消長(zhǎng)。IGBT模塊按封裝工藝來(lái)看主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi)。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線(xiàn)鍵合的壓接式封裝工藝。IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品。加工模塊平臺(tái)
一、600V系列EUPEC IGBT模塊,infineon IGBT模塊,英飛凌IGBT模塊,優(yōu)派克IGBT模塊，部分型號(hào)如下：兩單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊： BSM50GB60DLC BSM75GB60DLC BSM100GB60DLC BSM150GB60DLC BSM200GB60DLC BSM300GB60DLC FF200R06KE3 FF300R06KE3 FF400R06KE3功率集成模塊PIM：BSM10GP60 BSM20GP60 BSM50GP60 BSM75GP60 BSM100GP60 FP10R06YE3 二、1200V系列EUPEC IGBT模塊infineon IGBT模塊英飛凌IGBT模塊優(yōu)派克IGBT模塊，部分型號(hào)如下：一單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM200GA1**N2 BSM300GA1**N2 BSM400GA1**N2 FZ1200R12KF4 FZ1600R12KF4 FZ1800R12KF4 BSM300GA1**LC BSM400GA1**LC FZ400R12KE3 FZ600R12KE3 FZ1600R12KE3 FZ2400R12KE3 FZ400R12KS4二單元EUPEC IGBT模塊/infineon IGBT模塊：BSM50GB1**N2 BSM75GB1**N2 BSM100GB1**N2 BSM150GB1**N2 BSM200GB1**N2 FF400R12KF4 FF600R12KF4 BSM100GB1**LC BSM150GB1**LC BSM200GB1**LC BSM300GB1**LC FF100R12KS4 FF150R12KS4 FF200R12KS4 FF300R12KS4 FF200R12KE3 FF300R12KE3 FF400R12KE3 FF600R12KE3 FF200R12KT3 FF300R12KT3 FF400R12KT3 微型模塊供應(yīng)商家當(dāng)速晶閘管模塊承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，無(wú)論柵極電壓如何，晶閘管都會(huì)關(guān)閉。
圖1 光電耦合器驅(qū)動(dòng)電路 推薦使用的光電耦合器有： HCPI,-4505、HCPL-4506、TI.P759 (IGM)、TLP755 等。一般情況下，光電耦合器要符合UI。、VDE 等安全認(rèn)證。同時(shí)比較好使光電耦合器和IGBT控制端子間的布線(xiàn)盡量短。由于光電耦合器兩端間常加有大的du/出，因此，光電耦合器兩端的布線(xiàn)不要太靠近以減小其間的耦合電容。在使用15V的直流電源組件時(shí)，電源輸出側(cè)的GND端子不要互聯(lián)，并盡量減少各電源與地間的雜散電容，同時(shí)還應(yīng)當(dāng)確保足夠大的絕緣距離（大于2mm)。光電耦合器輸入用的10μF及0.1μF濾波電容主要用于保持控制 電壓平穩(wěn)和使線(xiàn)路阻抗穩(wěn)定?？刂菩盘?hào)輸入端與Vcc端應(yīng)接20kΩ的上拉電阻，在不使用制動(dòng)單元時(shí)，也應(yīng)該在DB輸人端與Vcc端之間接20Ω的上拉電阻，否則，du/dt過(guò)大，可能會(huì)引起誤動(dòng)作。
背景技術(shù)：電力電子開(kāi)關(guān)是指利用電子電路以及電力電子器件實(shí)現(xiàn)電路通斷的運(yùn)行單元,至少包括一個(gè)可控的電子驅(qū)動(dòng)器件，如晶閘管、晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、繼電器等。其中，現(xiàn)有的晶閘管能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制。因此，針對(duì)上述問(wèn)題，有必要提出進(jìn)一步的解決方案。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊，以克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足。為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼、蓋板、銅底板、形成于所述蓋板上的接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于所述外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元；1964年，雙向晶閘管在GE公司開(kāi)發(fā)成功，應(yīng)用于調(diào)光和馬達(dá)控制。
可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種（見(jiàn)圖表-25）。螺旋式的應(yīng)用較多。 可控硅有三個(gè)電極----陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P 型導(dǎo)體和N 型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN 結(jié)。其結(jié)構(gòu)示意圖和符號(hào)?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN 結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí)，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。 IGBT模塊輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。河南標(biāo)準(zhǔn)模塊
廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)、變頻器、變頻家電等領(lǐng)域。加工模塊平臺(tái)
1）新能源汽車(chē)IGBT模塊在電動(dòng)汽車(chē)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，是電動(dòng)汽車(chē)及充電樁等設(shè)備的**技術(shù)部件。IGBT模塊占電動(dòng)汽車(chē)成本將近10%，占充電樁成本約20%。IGBT主要應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域中以下幾個(gè)方面：A）電動(dòng)控制系統(tǒng)大功率直流/交流(DC/AC)逆變后驅(qū)動(dòng)汽車(chē)電機(jī)；B）車(chē)載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用；2）智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來(lái)看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來(lái)看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來(lái)看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。4、從用電端來(lái)看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。加工模塊平臺(tái)
江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司主營(yíng)品牌有英飛凌,西門(mén)康,艾賽斯,巴斯曼，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大，該公司貿(mào)易型的公司。江蘇芯鉆時(shí)代是一家有限責(zé)任公司（自然）企業(yè)，一直“以人為本，服務(wù)于社會(huì)”的經(jīng)營(yíng)理念;“誠(chéng)守信譽(yù)，持續(xù)發(fā)展”的質(zhì)量方針。公司業(yè)務(wù)涵蓋IGBT模塊，可控硅晶閘管，二極管模塊，熔斷器，價(jià)格合理，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶(hù)的歡迎。江蘇芯鉆時(shí)代以創(chuàng)造***產(chǎn)品及服務(wù)的理念，打造高指標(biāo)的服務(wù)，引導(dǎo)行業(yè)的發(fā)展。