1、過流保護如果想得到較安全的過流保護,建議用戶優(yōu)先使用內(nèi)部帶過流保護作用的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法??焖偃蹟嗥魇?*簡單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應(yīng)大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應(yīng)為模塊標稱輸入電流的,按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關(guān)系參考本本博客有關(guān)文章。用戶也可根據(jù)經(jīng)驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間很短,也會造成元件反向擊穿損壞。如果正向電壓超過晶閘管的正向轉(zhuǎn)折電壓,會引起晶閘管硬開通,它不僅使電路工作失常,且多次硬開通后元件正向轉(zhuǎn)折電壓要降低,甚至失去正向阻斷能力而損壞。因此必須采用過電壓保護措施用以晶閘管上可能出現(xiàn)的過電壓。模塊的過壓保護,推薦采用阻容吸收和壓敏電阻兩種方式并用的保護措施。(1)阻容吸收回路晶閘管從導通到阻斷時,和開關(guān)電路一樣,因線路電感(主要是變壓器漏感LB)釋放能量會產(chǎn)生過電壓。正高電氣經(jīng)營理念:前列的設(shè)備、前列的產(chǎn)品、前列的服務(wù)。連云港可控硅集成調(diào)壓模塊組件
晶閘管模塊
晶閘管模塊因其體積小、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高、外部接線簡單、互換性好、維護安裝方便等優(yōu)點,自誕生以來就受到各大功率半導體制造商的青睞,并得到了極大的發(fā)展。
晶閘管模塊一般對錯正弦電流有疑問,存在導通角,負載電流具有一定的波動和不穩(wěn)定因素,晶閘管模塊芯片抗電流沖擊能力差,因此在選擇模塊的電流標準時一定要留出一定的余量。
模塊冷卻狀態(tài)的好壞直接關(guān)系到產(chǎn)品的使用壽命和短期過載能力。溫度越低,模塊輸出電流越大。因此,在運行中必須配備散熱器和風扇。建議選擇具有過熱維護功能的商品,有水冷條件的優(yōu)先采用水冷冷卻。 連云港可控硅集成調(diào)壓模塊組件正高電氣有著質(zhì)量的服務(wù)質(zhì)量和極高的信用等級。
晶閘管模塊電流規(guī)格的選取
1、根據(jù)負載性質(zhì)及負載額定電流進行選取
(1)電阻負載的較大電流應(yīng)是負載額定電流的2倍。
(2)感性負載的較大電流應(yīng)為額定負載電流的3倍。
(3)負載電流變化較大時,電流倍數(shù)適當增大。
(4)在運行過程中,負載的實際工作電流不應(yīng)超過模塊的較大電流。
2、散熱器風機的選用
模塊正常工作時必須配備散熱器和風機,推薦采用廠家配套的散熱器和風機。如果用戶是自己提供的,則使用以下原則來選擇:
(1)模塊正常工作時,必須能保證冷卻底板溫度不超過75℃;
(2)當模塊負載較輕時,可減小散熱器的尺寸或采用自然冷卻;
(3) 有水冷條件的,應(yīng)優(yōu)先水冷散熱 。
3、使用要求
(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃;
(2)模塊周圍需要干燥、通風、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。
(3)模塊電極上的銅線嚴禁不用端子直接壓接,以免接觸不良引起附加發(fā)熱。
(4)應(yīng)經(jīng)常測量固體繼電器導熱襯底側(cè)或固態(tài)繼電器附近散熱器的表面溫度,測點溫度應(yīng)小于80℃。
)=174A-232A顯然,通過以上的計算對于采用雙反星型并聯(lián)電路的ZX5-630;NBK-630;WSM-630焊機應(yīng)選擇MTG200-300A/800V或MTG(AA)130-200A/400V的模塊。比較好選MTG250--300A/800V或MTG(AA)160-200A/400V的模塊.當然,焊機可靠長期正常工作除了與模塊正確選型有關(guān)外,與以下因素還有一定的關(guān)系:2焊機暫載率即額定負荷工作持續(xù)率(FS):根據(jù)焊機行業(yè)標準此類焊機暫載率一般為:35%;60%;。其定義如下:暫載率FS=負載滿負荷持續(xù)運行時間(t)/[負載滿負荷持續(xù)運行時間+休止時間]x=t/Tx上式中T為焊機的工作周期,它是負荷持續(xù)運行和休止時間之和。我國焊機行業(yè)規(guī)定,手工氬弧焊時T為5分鐘;自動氬弧焊時T為10分鐘;即工作6分鐘,休息4分鐘。2散熱條件:以上計算均是在假設(shè)散熱條件足夠的情況下考慮的。如果散熱條件發(fā)生變化,對模塊的選型要求可適當增大或減小。l其它線路焊機對模塊的選型:對于使用在三相半控全橋整流線路中的模塊MTY;MDG,如下圖,對器件通流能力要求更高,同等輸出電流的情況下,該線路中的器件通過的電流是雙反星并聯(lián)線路中的兩倍;但對耐壓的要求低一倍。實例:已知條件:Id=630A;空載電壓:100V1、器件耐壓(VRRM。正高電氣以誠信為根本,以質(zhì)量服務(wù)求生存。
并通過所述第二門極壓接式組件對所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片施加壓合作用力,所述第三導電片、鉬片、銀片、鋁片依次設(shè)置于所述銅底板上。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,任一所述接頭包括:螺栓和螺母,所述螺栓與螺母之間還設(shè)置有彈簧墊圈和平墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的導電片、第二導電片、瓷板進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述銅底板通過硅凝膠對位于其上的第三導電片、鉬片、銀片、鋁片進行固定。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述壓塊和第二壓塊上還設(shè)置有絕緣套管。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述絕緣套管與對應(yīng)的壓塊之間還設(shè)置有墊圈。作為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的改進,所述外殼上還設(shè)置有門極銅排安裝座。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的立式晶閘管模塊通過設(shè)置接頭、第二接頭和第三接頭、封裝于外殼內(nèi)部的晶閘管單元和第二晶閘管單元能夠?qū)崿F(xiàn)電力系統(tǒng)的多路控制,有效保證了電力系統(tǒng)的正常運行。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地。正高電氣企業(yè)價值觀:以人為本,顧客滿意,溝通合作,互惠互利。連云港可控硅集成調(diào)壓模塊組件
正高電氣公司在多年積累的客戶好口碑下,不但在產(chǎn)品規(guī)格配套方面占據(jù)優(yōu)勢。連云港可控硅集成調(diào)壓模塊組件
漏電流:指加一半標稱直流電壓時測得的流過壓敏電阻的電流。由于壓敏電阻的通流容量大,殘壓低,過電壓能力強;平時漏電流小,放電后不會有續(xù)流,元件的標稱電壓等級多,便于用戶選擇;伏安特性是對稱的,可用于交、直流或正負浪涌;因此用途較廣。2、過電流保護由于半導體器件體積小、熱容量小,特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件,結(jié)溫必須受到嚴格的控制,否則將遭至徹底損壞。當晶閘管中流過大于額定值的電流時,熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,**終將導致結(jié)層被燒壞。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,觸發(fā)電路發(fā)生故障,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高、過低或缺相,負載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等。晶閘管過電流保護方法**常用的是快速熔斷器。由于普通熔斷器的熔斷特性動作太慢,在熔斷器尚未熔斷之前晶閘管已被燒壞;所以不能用來保護晶閘管。連云港可控硅集成調(diào)壓模塊組件
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