進行光刻:
將設計好的電路掩模,置于光刻機的紫外射線下,然后再在它的下面放置Wafer,這一刻,Wafer上被光刻部分的光刻膠被融化掉,刻上了電路圖。然后將光刻膠去除,光刻膠上的圖案要與掩模上的圖案一致,然后進行再次光刻。一般來說一個晶圓的電路要經(jīng)過多次光刻。而隨著技術革新,極紫光刻出現(xiàn)了,現(xiàn)階段光刻的效率變得比以前更高,甚至于可以達到光刻一次完成。
注射:
在真空下,將導電材料注入晶圓的電路內部。其真空的標準比無菌室或ICU還要高出千萬倍。 真空腔體開口于所述鋁合金平板上表面.汕頭本地晶圓運送機械吸臂什么價格
半導體晶圓有時在處理室內暴露在高溫中。因此,機械手有時輸送高溫的半導體晶圓。若高溫的半導體晶圓與手部接觸,則手部的溫度上升,并且配置在前臂連桿與手部之間的關節(jié)的溫度也上升。由此,安裝于關節(jié)的軸承的溫度上升。軸承的溫度上升促進該軸承內的潤滑劑的劣化。因此,與配置在上臂連桿與前臂連桿之間的關節(jié)的軸承相比,配置在前臂連桿和手部之間的關節(jié)的軸承的維護頻率較高。晶圓是指硅半導體集成電路制作所用的硅晶片,由于其形狀為圓形,故稱為晶圓;在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結構,而成為有特定電性功能的集成電路產(chǎn)品。
晶圓的原始材料是硅,而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉,**化,并經(jīng)蒸餾后,制成了高純度的多晶硅,其純度高達99.9%。 汕頭本地晶圓運送機械吸臂什么價格加設定位裝置和行程檢測機構。
技術實現(xiàn)要素:
本實用新型要解決的技術問題是:現(xiàn)有機械手臂易出現(xiàn)碰撞損傷,且傳送晶圓效率較低。
為了解決上述問題,本實用新型的一個實施例提供了一種機械手臂,其包括:托板;固定在所述托板上的絨毛墊,所述絨毛墊至少部分裸露于所述托板的用于承載晶圓的表面,并適于在與所述表面之上的晶圓接觸時利用范德華力吸附晶圓。
可選地,所述絨毛墊包括托墊和絨毛,所述托墊固定在所述托板上,所述絨毛固定在所述托墊上。
可選地,所述托板設有貫穿所述表面的螺紋通孔,所述托墊嵌設在所述螺紋通孔內,并通過與所述螺紋通孔螺紋配合的螺釘固定在所述托板上。
可選地,所述絨毛為硅樹脂橡膠絨毛或聚酯樹膠絨毛。
可選地,所述機械手臂上所有絨毛的黏合力之和為6N以上。
可選地,所述絨毛墊上的絨毛排列成環(huán)形。
可選地,所述絨毛墊的數(shù)量為三個以上,各個所述絨毛墊之間間隔排布。
研究背景近年來,隨著機器人技術的發(fā)展,應用高速度、高精度、 高負載自重比的機器人結構受到工業(yè)和航空航天領域的關注。由于運動過程中關節(jié)和連桿的柔性效應的增加,使結構發(fā)生變形從而使任務執(zhí)行的精度降低。所以,機器人機械臂結構柔性特征必須予以考慮,實現(xiàn)柔性機械臂高精度有效控制也必須考慮系統(tǒng)動力學特性。柔性機械臂是一個非常復雜的動力學系統(tǒng),其動力學方程具有非線性, 強耦合, 實變等特點。而進行柔性臂動力學問題的研究,其模型的建立是極其重要的。柔性機械臂不僅是一個剛柔耦合的非線性系統(tǒng),而且也是系統(tǒng)動力學特性與控制特性相互耦合即機電耦合的非線性系統(tǒng)。動力學建模的目的是為控制系統(tǒng)描述及控制器設計提供依據(jù)。一般控制系統(tǒng)的描述( 包括時域的狀態(tài)空間描述和頻域的傳遞函數(shù)描述) 與傳感器/ 執(zhí)行器的定位,從執(zhí)行器到傳感器的信息傳遞以及機械臂的動力學特性密切相關。手臂自重輕,其啟動和停止的平穩(wěn)性就好。
本發(fā)明涉及一種半導體制造技術,尤其是一種用于晶圓搬運的機械手。
背景技術:
在半導體加工設備中,經(jīng)常需要將晶圓在各個工位之間進行傳送,在傳送的過程中,傳送精度越高,設備工藝一致性就越好,速度越快,單臺設備的產(chǎn)能就越大。隨著半導體工藝的發(fā)展,設備處理的工藝越來越復雜,對設備自動化程度、柔性化程度要求也越來越高,這就需要一種定位精度高,速度快的多自由度的機械手。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明針對現(xiàn)有技術中的不足,提供了一種晶圓搬運機械手,本發(fā)明的機械手在傳送過程中晶片中心始終保證直線運動,且角度不會發(fā)生改變。從而提高機械手整體剛度和承重能力,同時提高了重復定位精度。本發(fā)明結構合理性能穩(wěn)定,維護方便,多功能集一身,可滿足多種工藝設備要求,適用于各種半導體設備。
機械手臂是機械人技術領域中得到*****實際應用的自動化機械裝置.汕頭本地晶圓運送機械吸臂什么價格
簡單的搬運與碼垛,根本無法稱之為智能制造。汕頭本地晶圓運送機械吸臂什么價格
電鍍:
到這一步,晶圓基本上就完成了,現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅,銅離子會從正極走向負極。
拋光:
然后將Wafer進行打磨,到這一步晶圓就真正的完成了。
切割:
對晶圓進行切割,值得一提的是晶圓十分易碎,因此對切割的工藝要求也是非常高的。
測試:
測試分為三大類:功能測試、性能測試、抗老化測試。大致測試模式如下:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、動態(tài)參數(shù)測試、模擬信號參數(shù)測試等等。全部測試都通過的,就是正片;部分測試未通過,但正常使用無礙,這是白片;未開始測試,就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的,這是黑片。
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