目前,直拉法是生長晶圓**常用的方法了,除了直拉法之外,常用的方法還有區(qū)熔法。區(qū)熔法,簡稱Fz法。1939年,在貝爾實驗室工作的W·G·Pfann較早萌生了“區(qū)域勻平”的念頭,后來在亨利·休勒、丹·多西等人的協(xié)助下,生長出了高純度的鍺以及硅單晶,并獲得了**。這種方法是利用熱能在半導體多晶棒料的一端產(chǎn)生一熔區(qū),使其重結(jié)晶為單晶。使熔區(qū)沿一定方向緩慢地向棒的另一端移動,進而通過整根棒料,使多晶棒料生長成一根單晶棒料,區(qū)熔法也需要籽晶,且**終得到的柱狀單晶錠晶向與籽晶的相同。 隨著宇航業(yè)及機器人業(yè)的飛速發(fā)展,越來越多地采用由若干個柔性構(gòu)件組成的多柔體系統(tǒng)。汕尾新款晶圓運送機械吸臂參考價
電動式 電力驅(qū)動是目前機械臂使用得**多的一種驅(qū)動方式。其特點是電源方便,響應(yīng)快,驅(qū)動力較大(關(guān)節(jié)型的持重已達400公斤),信號檢測、傳遞、處理方便,并可以采用多種靈活的控制方案。驅(qū)動電機一般采用步進電機,直流伺服電機以及交流伺服電機(其中交流伺服電機為目前主要的驅(qū)動形式)。由于電機速度高,通常采用減速機構(gòu)(如諧波傳動、RV擺線針輪傳動、齒輪傳動、螺旋行動和多桿式機構(gòu)等)。目前,有些機械臂已開始采用無減速機構(gòu)的大轉(zhuǎn)矩、低轉(zhuǎn)速的電機進行直接驅(qū)動(DD),這既可以使機構(gòu)簡化,又可提高控制精度。二、按用途分⒈搬運機械臂 這種機械臂用途很廣,一般只需點位控制。即被搬運零件無嚴格的運動軌跡要求,只要求始點和終點位姿準確。如機床上用的上下料器人,工件堆垛機械臂,注塑機配套用的機械等。珠海晶圓運送機械吸臂市場報價機械手臂的應(yīng)用場景有哪些呢?
一種晶圓傳輸裝置及其真空吸附機械手,該真空吸附機械手包括:手臂;固定在所述手臂上的吸附絕緣凸臺;設(shè)置在所述手臂和吸附絕緣凸臺內(nèi)的真空氣道;所述吸附絕緣凸臺用于吸附待傳送晶圓的背面,所述吸附絕緣凸臺的硬度小于所述待傳送晶圓的背面的硬度。由于吸附絕緣凸臺的硬度小于待傳送晶圓的背面的硬度,故利用真空吸附機械手將晶圓傳送至所需位置之后,晶圓的背面中與真空吸附機械手接觸的位置不會形成印記,提高了晶圓的合格率。
電鍍:
到這一步,晶圓基本上就完成了,現(xiàn)在要在晶圓上鍍一層硫酸銅,銅離子會從正極走向負極。
拋光:
然后將Wafer進行打磨,到這一步晶圓就真正的完成了。
切割:
對晶圓進行切割,值得一提的是晶圓十分易碎,因此對切割的工藝要求也是非常高的。
測試:
測試分為三大類:功能測試、性能測試、抗老化測試。大致測試模式如下:接觸測試、功耗測試、輸入漏電測試、輸出電平測試、動態(tài)參數(shù)測試、模擬信號參數(shù)測試等等。全部測試都通過的,就是正片;部分測試未通過,但正常使用無礙,這是白片;未開始測試,就發(fā)現(xiàn)晶圓具有瑕疵的,這是黑片。
手臂就要產(chǎn)生振動,或動作時工件卡死無法工作。
近年來全球硅晶圓供給不足,導致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見度分別已達2019上半年和年底。目前國內(nèi)多個硅晶圓項目已經(jīng)開始籌備,期望有朝一日能夠打破進口依賴,并有足夠的能力滿足市場需求。硅在自然界中以硅酸鹽或二氧化硅的形式***存在于巖石、砂礫中,硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟:硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。一,晶柱制造步驟硅提純:將沙石原料放入一個溫度約為2000℃,并且有碳源存在的電弧熔爐中,在高溫下,碳和沙石中的二氧化硅進行化學反應(yīng)(碳氧結(jié)合,得硅),提純得純度約為98%的純硅,又稱冶金級硅,這對微電子器件來說依然不夠純,因為半導體材料的電學特性對雜質(zhì)的濃度相當?shù)拿舾校蚨鴮σ苯鸺壒枳鬟M一步提純:將粉碎的冶金級硅與氣態(tài)的氯化氫進行氯化反應(yīng),生成液態(tài)的硅烷,然后通過蒸餾和化學還原工藝,得到了高純度的多晶硅,其純度達99%,成為電子級硅。 柔性機械臂具有較低的能耗、較大的操作空間和很高的效率。珠海官方晶圓運送機械吸臂工廠
機器人機械臂結(jié)構(gòu)柔性特征必須予以考慮。汕尾新款晶圓運送機械吸臂參考價
接下來是單晶硅生長,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下圖所示,高純度的多晶硅放在石英坩堝中,并用外面圍繞著的石墨加熱器不斷加熱,溫度維持在大約1400 ℃,爐中的氣體通常是惰性氣體,使多晶硅熔化,同時又不會產(chǎn)生不需要的化學反應(yīng)。為了形成單晶硅,還需要控制晶體的方向:坩堝帶著多晶硅熔化物在旋轉(zhuǎn),把一顆籽晶浸入其中,并且由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn),同時慢慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會粘在籽晶的底端,按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去。因此所生長的晶體的方向性是由籽晶所決定的,在其被拉出和冷卻后就生長成了與籽晶內(nèi)部晶格方向相同的單晶硅棒。汕尾新款晶圓運送機械吸臂參考價
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