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碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和20...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...

碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)專jia稱為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)?家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過(guò)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間順序來(lái)看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對(duì)高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場(chǎng)景的器件要求?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平...

目前，陶瓷注射成型技術(shù)開(kāi)始向精密化發(fā)展，研究與開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)由過(guò)去的高溫非氧化物陶瓷(如氮化硅、碳化硅)擴(kuò)展為氧化物陶瓷(如氧化鋯、氧化鋁)、功能陶瓷、生物陶瓷產(chǎn)品，種類越來(lái)越多，其主要應(yīng)用領(lǐng)域如下。一、光通訊用精密陶瓷部件主要有光纖連接器用氧化鋯多晶陶瓷插芯和陶瓷套管。因?yàn)槠涑叽缧　⒕雀?、?nèi)孔直徑只有125微米，因此只能采用注射成型。目前光纖連接器所需陶瓷插芯和陶瓷套管主要由中國(guó)制造，而日本京瓷、東陶、Adamand等國(guó)外公司生產(chǎn)的產(chǎn)品在不斷減少。光纖連接器用陶瓷插芯與套管二、生物陶瓷制品主要包括人造陶瓷牙齒、種植牙陶瓷固定螺桿、人工關(guān)節(jié)、固定牙冠套、牙齒正畸用陶瓷托槽等，如圖3所示。據(jù)世界衛(wèi)...

碳化硅襯底的電學(xué)性能決定了下游芯片功能與性能的優(yōu)劣，為滿足不同芯片功能需求，需制備不同電學(xué)性能的碳化硅襯底。按照電學(xué)性能的不同，碳化硅襯底可分為兩類：高電阻率（電阻率≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底，以及低電阻率（電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm）的導(dǎo)電型碳化硅襯底。半絕緣型碳化硅襯底主要用于制造氮化鎵射頻器件，通過(guò)生長(zhǎng)氮化鎵外延層制得碳化硅基氮化鎵外延片；導(dǎo)電型碳化硅襯底主要用于制造功率器件，需在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層。“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！誠(chéng)邀您蒞臨參觀！先進(jìn)制造業(yè)新發(fā)展格局“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”...

AlN有兩個(gè)非常重要的性能值得注意：一個(gè)是高的熱導(dǎo)率，一個(gè)是與Si相匹配的膨脹系數(shù)。缺點(diǎn)是即使在表面有非常薄的氧化層也會(huì)對(duì)熱導(dǎo)率產(chǎn)生影響，只有對(duì)材料和工藝進(jìn)行嚴(yán)格控制才能制造出一致性較好的AlN基板。AlN生產(chǎn)技術(shù)國(guó)內(nèi)像斯利通這樣能大規(guī)模生產(chǎn)的少之又少，相對(duì)于Al2O3，AlN價(jià)格相對(duì)偏高許多，這個(gè)也是制約其發(fā)展的小瓶頸。不過(guò)隨著經(jīng)濟(jì)的提升，技術(shù)的升級(jí)，這種瓶頸終會(huì)消失。綜合以上原因，可以知道，氧化鋁陶瓷由于比較優(yōu)越的綜合性能，在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等領(lǐng)域還是處于主導(dǎo)地位而被大量運(yùn)用?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展...

將碳化硅晶錠用X射線單晶定向儀定向，再用精密機(jī)械加工成標(biāo)準(zhǔn)尺寸和角度的碳化硅晶棒，并對(duì)所有晶棒進(jìn)行尺寸、角度等指標(biāo)檢測(cè)。在考慮后續(xù)加工余量后，用金剛石細(xì)線切割碳化硅晶棒至所需厚度，并通過(guò)全自動(dòng)測(cè)試設(shè)備對(duì)面型進(jìn)行檢測(cè)。切片作為晶體加工的首要步驟，對(duì)后續(xù)加工和產(chǎn)能的影響較大。碳化硅的高硬度導(dǎo)致鋸線消耗大、加工時(shí)間長(zhǎng)、廢料率高、產(chǎn)量有限、高成本等問(wèn)題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、202...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。誠(chéng)邀您蒞臨參觀！氧化鋯陶瓷因具有耐高溫、耐腐蝕、耐磨損等優(yōu)良的性能，應(yīng)用于各個(gè)領(lǐng)域中。常壓下純氧化鋯有三種晶型，由于晶型轉(zhuǎn)變產(chǎn)生體積變化，造成開(kāi)裂。加入適量穩(wěn)定劑，使氧化鋯從高溫冷卻至室溫過(guò)程中盡可能多的保留四方相，控制并提高對(duì)增韌有貢獻(xiàn)的四方到單斜相的有效轉(zhuǎn)變。氧化釔穩(wěn)定氧化鋯由于其綜合性能好，成為應(yīng)用較廣的氧化鋯材料。有研究表明，Y2O3含量在2.5mol%時(shí)抗彎強(qiáng)度好；在2mol%時(shí)斷裂韌性da。本文主要以Y2O3含量在2~2.5mol%的氧化釔穩(wěn)定氧化鋯為原料，制備出綜合性能較高的氧化鋯陶瓷，并探...

碳化硅是通過(guò)鍵能很高的共價(jià)鍵結(jié)合的晶體。碳化硅是用石英沙(SiO2)加焦碳直接加熱至高溫還原而成，其燒結(jié)工藝主要有熱壓和反應(yīng)燒結(jié)兩種。由于碳化硅表面有一層薄氧化膜，因此很難燒結(jié)，需添加燒結(jié)助劑促進(jìn)燒結(jié)，常加的助劑有硼、碳、鋁等。碳化硅的特點(diǎn)是高溫強(qiáng)度高，有很好的耐磨損、耐腐蝕、抗蠕變性能，其熱傳導(dǎo)能力很強(qiáng)，僅次于氧化鈹陶瓷。碳化硅陶瓷常用于制造火箭噴嘴、澆注金屬的喉管、熱電偶套管、爐管、燃?xì)廨啓C(jī)葉片及軸承，泵的密封圈、拉絲成型模具等?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌150...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。碳化硅作為第三代半導(dǎo)體的代表性材料之一，展現(xiàn)了突出的性能優(yōu)勢(shì)，具有極高的產(chǎn)業(yè)價(jià)值，被當(dāng)下業(yè)內(nèi)稱為“黃金投資賽道”。我國(guó)“十四五”規(guī)劃已將碳化硅半導(dǎo)體納入重點(diǎn)支持領(lǐng)域，是國(guó)家戰(zhàn)略性需求的重要行業(yè)。我們通過(guò)對(duì)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的基本情況及碳化硅襯底、外延、功率器件環(huán)節(jié)的價(jià)值分析，揭示碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展趨勢(shì)以及面臨的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，增大晶片尺寸是提高半導(dǎo)體產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵途徑。對(duì)于同一規(guī)格的芯片，隨著晶圓尺寸增加，邊緣管芯（Die）數(shù)量占比縮小，晶圓利用率大幅增加。按晶圓面積測(cè)算，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積是6英寸晶圓面積的1.8倍，一片8英寸碳化硅外延晶片的晶圓面積則是4英寸晶圓面積的近4.3倍。根據(jù)Wolfspeed測(cè)算，一片8英寸碳化硅晶片可以產(chǎn)出845顆32mm2的芯片，是6英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)出的近2倍；邊緣管芯占比下降到7%，大幅度提高晶圓利用率，將進(jìn)一步降低碳化硅芯片單位成本。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,0...

碳化硅外延需經(jīng)過(guò)光刻、沉積、離子注入等前段工藝形成碳化硅晶圓，再經(jīng)過(guò)減薄、封裝等后段工藝分別形成碳化硅芯片、功率器件及功率模塊。在制程上，SiC芯片與硅基器件的工藝類似，但SiC制備需要特殊設(shè)備，如高溫離子注入機(jī)和高溫?zé)崽幚碓O(shè)備等?？涛g、減薄等環(huán)節(jié)也需特殊設(shè)備?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AM CHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展...

將氧氯化鋯、硝酸釔、硝酸鋁按比例配置成溶液，氨水為沉淀劑，采用共沉淀法制備出釔穩(wěn)定氧化鋯粉體，加入一定比例的PVA，水為介質(zhì)，濕法球磨，烘干、造粒，得到可成型的釔穩(wěn)定氧化鋯粉(Y-ZrO2)。在8.3MPa壓力下干壓，然后在不同壓力下冷等靜壓成型，將制得的生坯在不同溫度下燒結(jié)，并保溫不同時(shí)間，研究等靜壓壓力、燒結(jié)溫度、保溫時(shí)間對(duì)陶瓷密度、抗彎強(qiáng)度、硬度和斷裂韌性的影響?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACE CHINA 2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際...

碳化硅半導(dǎo)體屬于高度技術(shù)密集型行業(yè)，具有較高的技術(shù)、人才、資金、資源和認(rèn)證壁壘，高度依賴于技術(shù)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)。受日益旺盛的需求影響，目前各路資本爭(zhēng)相投資，碳化硅產(chǎn)業(yè)成為熱門賽道。大量資本的涌入加劇了碳化硅的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。同時(shí)，全球碳化硅半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)集中度較高，市場(chǎng)份額主要被美國(guó)、歐洲、日本等國(guó)家和地區(qū)的企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)企業(yè)未來(lái)將面臨國(guó)際先進(jìn)企業(yè)和國(guó)內(nèi)新進(jìn)入者的雙重競(jìng)爭(zhēng)。若競(jìng)爭(zhēng)過(guò)早進(jìn)入白熱化，會(huì)對(duì)大批初創(chuàng)科技型碳化硅企業(yè)的成長(zhǎng)造成致命打擊?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)...

碳化硅產(chǎn)業(yè)各鏈條都在互相交融、跨界。系統(tǒng)級(jí)廠商方面，比亞迪從整車制造跨到碳化硅產(chǎn)業(yè)前端的襯底環(huán)節(jié)，吉利則向后端做到碳化硅芯片制造；在供應(yīng)鏈Tier1廠商層面，博世和華為同樣做到碳化硅芯片制造。高成本是制約碳化硅器件實(shí)現(xiàn)大規(guī)模商用及國(guó)產(chǎn)替代的主要因素，但碳化硅器件與傳統(tǒng)硅基器件的差價(jià)正在縮小。SiCSBD產(chǎn)品價(jià)格自2017年的4.1元/A降至2020年的1.58元/A，與硅基器件差價(jià)約為3.8倍。2019至2020年，1200V和1700V的SiCMOSFET的平均價(jià)格跌幅達(dá)30%-40%，有助于其提升市場(chǎng)滲透率?！爸袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館開(kāi)幕！五展...

“中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕，高壓燒結(jié)有兩種方式，第一種為高壓成型常壓燒結(jié)，第二種為高壓氣氛燒結(jié)。1、高壓成型常壓燒結(jié)高壓成型常壓燒結(jié)中，樣品在高壓下再次加壓后，顆粒之間的接觸點(diǎn)增加且氣孔減少，導(dǎo)致燒結(jié)前坯體的相對(duì)密度明顯增加，而陶瓷燒結(jié)活性與樣品的壓坯密度緊密相關(guān)，所以燒結(jié)溫度明顯降低。高壓成型常壓燒結(jié)使燒結(jié)溫度降低了至少200℃（無(wú)壓燒結(jié)溫度一般高于1200℃）。2、高壓氣氛燒結(jié)高壓氣氛燒結(jié)中，高壓能夠明顯增加陶瓷致密的驅(qū)動(dòng)力，并且由于成核勢(shì)壘的降低使成核速率增加，擴(kuò)散能力的降低使生長(zhǎng)速率減小。高壓氣氛燒結(jié)被認(rèn)為是一種比較理想的得到致密細(xì)...

得益于碳化硅的物理特性，其功率器件較硅基器件具有更高的工作頻率、更高的能量轉(zhuǎn)換效率、更好的散熱能力。碳化硅功率器件和功能模塊廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、電源、軌道交通等領(lǐng)域。在新能源汽車領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于電驅(qū)主逆變器、車載充電器（OBC）及DC-DC（直流—直流）轉(zhuǎn)換器。隨著新能源汽車需求增長(zhǎng)及碳化硅功率器件的普及，其市場(chǎng)規(guī)模將進(jìn)一步擴(kuò)大。在光伏發(fā)電領(lǐng)域，碳化硅功率器件主要用于光伏逆變器，能提高能量轉(zhuǎn)換效率、降低能量損耗、增加功率密度并解決系統(tǒng)成本。隨著光伏電站電壓等級(jí)從1000V提升至1500V，未來(lái)將進(jìn)一步提升至1700V乃至2000V，在更高的電壓等級(jí)下，碳化硅功率器件的優(yōu)...

注射成型過(guò)程中由于工藝參數(shù)控制不當(dāng)，或者是喂料本身缺陷，以及模具設(shè)計(jì)不合理等因素，容易造成諸如欠注、斷裂、孔洞、變形、毛邊等各種缺陷。結(jié)合具體過(guò)程，對(duì)常見(jiàn)的注射缺陷進(jìn)行分析，并加以控制，以提高生產(chǎn)率和喂料的利用率。1、欠注缺陷，指喂料在充模過(guò)程中不能充滿整個(gè)模腔。一般在剛開(kāi)始注射時(shí)產(chǎn)生，可能是由喂料溫度或模具溫度過(guò)低、加料量不足、喂料粘度過(guò)大等因素引起的。通過(guò)增加預(yù)塑時(shí)間升高喂料溫度、升高模具溫度、加大進(jìn)料量、升高注射溫度降低喂料粘度等措施可以消除此缺陷。2、斷裂缺陷斷裂。一般發(fā)生在脫模中，往往是脆斷。主要是因?yàn)槟＞邷囟忍?，或者是保壓和冷卻時(shí)間過(guò)長(zhǎng)，使得坯體溫度大幅下降，引起的收縮太大使坯體...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對(duì)器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點(diǎn)，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對(duì)SiC材料特性開(kāi)發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實(shí)現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國(guó)Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國(guó)AMAT、英國(guó)牛津儀器、日本Samco及愛(ài)發(fā)科，及我國(guó)北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所、...

刻蝕技術(shù)是SiC器件研制的關(guān)鍵，刻蝕精度、損傷和表面殘留物對(duì)器件性能至關(guān)重要。目前，SiC刻蝕多采用干法刻蝕，其中電感耦合等離子體（ICP）刻蝕因其低壓高密度的特點(diǎn)，具有刻蝕速率高、器件損傷小、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，而廣泛應(yīng)用。此外，刻蝕中的掩膜材料、蝕刻選擇、混合氣體、側(cè)壁控zhi、蝕刻速率和側(cè)壁粗糙度等需針對(duì)SiC材料特性開(kāi)發(fā)?？涛g環(huán)節(jié)主要挑戰(zhàn)包括實(shí)現(xiàn)更小尺寸器件結(jié)構(gòu)、提高深寬比和形貌圓滑度，以及從淺溝槽向深溝槽的轉(zhuǎn)變等。主流的SiCICP刻蝕設(shè)備廠商包括德國(guó)Plasma-Therm及Sentech、瑞士TEL、美國(guó)AMAT、英國(guó)牛津儀器、日本Samco及愛(ài)發(fā)科，及我國(guó)北方華創(chuàng)、中國(guó)電科48所、...

陶瓷是以粘土為主要原料，并與其他天然礦物經(jīng)過(guò)粉碎混煉、成型和煅燒制得的材料以及各種制品，是陶器和瓷器的總稱。陶瓷的傳統(tǒng)概念是指所有以粘土等無(wú)機(jī)非金屬礦物為原料的人工工業(yè)產(chǎn)品。它包括由粘土或含有粘土的混合物經(jīng)混煉、成形、煅燒而制成的各種制品。陶瓷的主要原料是取之于自然界的硅酸鹽礦物，因此它與玻璃、水泥、搪瓷、耐火材料等工業(yè)同屬于“硅酸鹽工業(yè)”的范疇。廣義上的陶瓷材料指的是除有機(jī)和金屬材料以外的其他所有材料，即無(wú)機(jī)非金屬材料。陶瓷制品的品種繁多，它們之間的化學(xué)成分、礦物組成、物理性質(zhì)，以及制 造方法，常?；ハ嘟咏诲e(cuò)，無(wú)明顯的界限，而在應(yīng)用上卻有很大的區(qū)別。因此，很 難硬性地把它們歸納為幾個(gè)系統(tǒng)，...

五展聯(lián)動(dòng)；孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)；IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過(guò)50,000平方米，中外展商約900家，參展品牌1500個(gè)，國(guó)內(nèi)外觀眾預(yù)計(jì)將達(dá)到70,000人次。20...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)孕育無(wú)限發(fā)展商機(jī)IACECHINA2025將與第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PMCHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMICCHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)用技術(shù)展覽會(huì)（AMCHINA)和2025上海國(guó)際粉體加工與處理展覽會(huì)（POWDEXCHINA）同期同地舉辦。五展聯(lián)動(dòng)，串聯(lián)相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈，吸引更多的觀眾群體，形成既匯聚更多參展企業(yè)同臺(tái)競(jìng)技，又滿足觀眾和買家多樣化需求的“一站式”商貿(mào)交流平臺(tái)。本屆展會(huì)（2025年）展覽面積將超過(guò)50,000平...

碳化硅芯片驗(yàn)證周期長(zhǎng)，批量生產(chǎn)難度大。碳化硅主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證要求極高，需7-8年才能實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)。國(guó)外廠商技術(shù)和產(chǎn)量的優(yōu)勢(shì)，并通過(guò)車企驗(yàn)證，基本壟斷了碳化硅主驅(qū)芯片供應(yīng)端。國(guó)內(nèi)企業(yè)尚處于可靠性驗(yàn)證起始階段，未實(shí)現(xiàn)批量供應(yīng)。國(guó)產(chǎn)主驅(qū)芯片需克服可靠性驗(yàn)證和批量化生產(chǎn)兩大難關(guān)，確保大規(guī)模供應(yīng)的同時(shí)保證產(chǎn)品品質(zhì)穩(wěn)定是行業(yè)性難題?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制造應(yīng)...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后...

“第十七屆中國(guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。無(wú)壓燒結(jié)在常壓下進(jìn)行燒結(jié)，主要包括常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)、兩步法燒結(jié)、兩段法燒結(jié)。1、常規(guī)無(wú)壓燒結(jié)將陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度，經(jīng)保溫后冷卻到室溫以制備陶瓷的方法。常規(guī)燒結(jié)采用高溫長(zhǎng)時(shí)間、等燒結(jié)速率進(jìn)行，此方法需要較高的燒結(jié)溫度（超過(guò)1000℃）和較長(zhǎng)的保溫時(shí)間。如果燒結(jié)溫度較低，則不能夠形成足夠的液相填充坯體里的氣孔，材料晶界結(jié)合不好并且材料中存在較大的孔洞，此時(shí)材料的電性能較差；燒結(jié)溫度過(guò)高，可能導(dǎo)致晶界的移動(dòng)速度過(guò)快，出現(xiàn)晶粒異常增大現(xiàn)象。2、兩步法燒結(jié)燒結(jié)流程為：陶瓷坯體通過(guò)加熱裝置加熱到一定溫度后...

隨著下游應(yīng)用端的不斷拓展，碳化硅產(chǎn)能供不應(yīng)求。從全球產(chǎn)能情況來(lái)看，近5年內(nèi)全球碳化硅襯底產(chǎn)能嚴(yán)重不足。2023至2025年處于擴(kuò)建產(chǎn)能爬坡期，預(yù)計(jì)2026年新產(chǎn)能大量釋放，但釋放后也只能滿足不足60%的市場(chǎng)需求?？紤]未來(lái)再建產(chǎn)能的時(shí)間周期，包括評(píng)估、資本募集、建廠、訂購(gòu)設(shè)備、產(chǎn)線爬坡等時(shí)間需求，更大產(chǎn)能需要在2030年后才能釋放?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕！五展聯(lián)動(dòng)；第17屆中國(guó)?國(guó)際粉末冶金及硬質(zhì)合金展覽會(huì)（PM CHINA）、2025上海國(guó)際線圈、變壓器、電感、電機(jī)與磁性材料展覽會(huì)（MMIC CHINA)、2025上海國(guó)際增材制...

半導(dǎo)體材料作為一種在常溫下導(dǎo)電性能介于絕緣體與導(dǎo)體之間的特殊物質(zhì)，在現(xiàn)代科技產(chǎn)業(yè)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，被譽(yù)為現(xiàn)代工業(yè)的“糧食”。從研究和規(guī)?；瘧?yīng)用的時(shí)間順序來(lái)看，半導(dǎo)體材料可分為三代。與以硅（Si）、鍺（Ge）為dai表的一代半導(dǎo)體和以砷化鎵（GaAs）為dai表的第二代半導(dǎo)體相比，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為dai表的第三代半導(dǎo)體具有高禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和漂移速率等特征，可以滿足科技發(fā)展對(duì)高溫、高功率、gao壓、高頻等復(fù)雜場(chǎng)景的器件要求?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于2025年3月10-12日上海世博展覽館盛大開(kāi)幕。展會(huì)展覽面積將超過(guò)50,000平...

碳化硅外延制作方法包括化學(xué)氣相沉積法（CVD）、分子束外延法（MBE）、液相外延法（LPE）、脈沖激光淀積和升華法（PLD）等。其中CVD法較為普及，該方法能精確控制生長(zhǎng)條件，包括氣體源流量、溫度和壓力，從而精確控制外延層的厚度、摻雜濃度和類型，重復(fù)性良好，設(shè)備適中，為目前主流技術(shù)。液相外延法和分子束外延法雖理論上可行，但外延制作的質(zhì)量、效率和成本均不如CVD法，不適合商業(yè)化應(yīng)用。碳化硅外延設(shè)備的密閉性、氣壓、氣體通入時(shí)間、配比和沉積溫度均需精確控制。器件耐壓提升，厚度和摻雜濃度均勻性的控制難度增加；外延層厚度增加，控制均勻性和缺陷密度的難度增加?！暗谑邔弥袊?guó)?國(guó)際先進(jìn)陶瓷展覽會(huì)”將于202...